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PSMN3R9-25MLC	文件：1.12128 Mbytes Page：14 Pages	N-channel 25 V 4.15 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology 1.1 General description Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK33 package. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefits  Low parasitic inductance and resistance  Optimised for 文件：1.12128 Mbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN3R9-25MLC	文件：370.9 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 25 V 4.15 m logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology 文件：370.9 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN3R9-25MLC_15	文件：370.9 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 25 V 4.15 m廓 logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology 文件：370.9 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN3R9-25MLC	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 25 V 4.15 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK33 package. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. • Low parasitic inductance and resistance\n• Optimised for 4.5V Gate drive utilising NextPower Superjunction technology\n• Ultra low QG, QGD, & QOSS for high system efficiencies at low and high loads;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
LFPAK33
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
25
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
4.15
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
5.55
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
70
QGD [typ] (nC)：
2.3
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
9.7
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
21.5
Ptot [max] (W)：
69
Qr [typ] (nC)：
9.2
VGSth [typ] (V)：
1.81
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
1524
Coss [typ] (pF)：
376
Release date：
2012-05-07

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