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PSMN2R9-30MLC	文件：1.15613 Mbytes Page：14 Pages	N-channel 30 V 2.95 m廓 logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology 文件：1.15613 Mbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN2R9-30MLC_15	文件：406.88 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 30 V 2.95 m廓 logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology 文件：406.88 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN2R9-30MLC	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 30 V 2.95 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPower Technology Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK33 package. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. • Low parasitic inductance and resistance\n• Optimised for 4.5V Gate drive utilising NextPower Superjunction technology\n• Ultra low QG, QGD, & QOSS for high system efficiencies at low and high loads;	Nexperia 安世	Nexperia
PSMN7R6-100BSEJ	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	NEXPERIA 安世上传：深圳市铭尔达科技有限公司	NEXPERIA
PSR05-LF-T7	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT143	Protek 上传：深圳市鼎欣微电子有限公司	Protek

技术参数

Package name：
LFPAK33
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
2.95
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
3.8
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
70
QGD [typ] (nC)：
4.4
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
16.699999
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
36.100002
Ptot [max] (W)：
91
Qr [typ] (nC)：
15.599999
VGSth [typ] (V)：
1.78
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
2419
Coss [typ] (pF)：
499.99997
Release date：
2012-05-07

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