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PSMN2R6-80YSF中文资料NextPower 80 V, 2.7 mOhm, 218 A, N-channel MOSFET in LFPAK56E package数据手册Nexperia规格书
PSMN2R6-80YSF规格书详情
描述 Description
NextPower 80 V, standard level gate drive MOSFET. Qualified to 175 °C and recommended for industrial and consumer applications.
特性 Features
• Low Qrr for higher efficiency and lower spiking
• 218 A ID(max) – demonstrated continuous current rating
• Low QG × RDSon FOM for high efficiency switching applications
• Strong avalanche energy rating (Eas)
• Avalanche rated and 100% tested
• Ha-free and RoHS compliant LFPAK56E package
应用 Application
Synchronous rectifier in AC-DC and DC-DC
Primary side switch in DC-DC
BLDC motor control
USB-PD adapters
Full-bridge and half-bridge applications
Flyback and resonant topologies
技术参数
- 制造商编号
：PSMN2R6-80YSF
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：LFPAK56E; Power-SO8
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：80
- RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
：2.4
- Tj [max] (°C)
：175
- ID [max] (A)
：231
- QGD [typ] (nC)
：16.5
- QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
：85
- Ptot [max] (W)
：294
- Qr [typ] (nC)
：33
- VGSth [typ] (V)
：3
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：5850
- Coss [typ] (pF)
：1385
- Release date
：2023-04-23
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