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PSMN2R6-60PS	文件：731.32 Kbytes Page：13 Pages	Marking：PSMN2R6-60PS；Package：SOT78；N-channel 60 V, 2.6 mΩ standard level MOSFET in SOT78 1.Generaldescription StandardlevelN-channelMOSFETinSOT78usingTrenchMOStechnology.Product designandmanufacturehasbeenoptimizedforuseinbatteryoperatedpowertools. 2.Featuresandbenefits •Highefficiencyduetolowswitching&conductionlosses •Robustconstructionfor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN2R6-60PS	文件：305.28 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PSMN2R6-60PS_15	文件：261.26 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 60 V, 2.6 m廓 standard level MOSFET in SOT78	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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PSMN2R6-60PS

文件：731.32 Kbytes

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Marking：PSMN2R6-60PS；Package：SOT78；N-channel 60 V, 2.6 mΩ standard level MOSFET in SOT78

1.Generaldescription StandardlevelN-channelMOSFETinSOT78usingTrenchMOStechnology.Product designandmanufacturehasbeenoptimizedforuseinbatteryoperatedpowertools. 2.Featuresandbenefits •Highefficiencyduetolowswitching&conductionlosses •Robustconstructionfor

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

PSMN2R6-60PS

文件：305.28 Kbytes

Page：2 Pages

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

PSMN2R6-60PS_15

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N-channel 60 V, 2.6 m廓 standard level MOSFET in SOT78

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

详细参数

型号：
PSMN2R6-60PS
功能描述：
MOSFET N-Channel MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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