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PSMN2R6-60PS	文件：731.32 Kbytes Page：13 Pages	丝印：PSMN2R6-60PS；Package：SOT78；N-channel 60 V, 2.6 mΩ standard level MOSFET in SOT78 1. General description Standard level N-channel MOSFET in SOT78 using TrenchMOS technology. Product design and manufacture has been optimized for use in battery operated power tools. 2. Features and benefits • High efficiency due to low switching & conduction losses • Robust construction for 文件：731.32 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN2R6-60PS	文件：261.269 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 60 V, 2.6 m廓 standard level MOSFET in SOT78 文件：261.269 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
PSMN2R6-60PS	文件：305.28 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：305.28 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PSMN2R6-60PS_15	文件：261.26 Kbytes Page：13 Pages	N-channel 60 V, 2.6 m廓 standard level MOSFET in SOT78 文件：261.26 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN2R6-60PS	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 60 V, 2.6 mΩ standard level MOSFET in SOT78 Standard level N-channel MOSFET in SOT78 using TrenchMOS technology. Product design and manufacture has been optimized for use in battery operated power tools. • High efficiency due to low switching & conduction losses\n• Robust construction for demanding applications\n• Standard level gate;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
TO-220AB
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
60
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
2.6
T_j [max] (°C)：
175
I_D [max] (A)：
150
Q_GD [typ] (nC)：
43.7
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
140
P_tot [max] (W)：
326
Q_r [typ] (nC)：
67
V_GSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
7629
C_oss [typ] (pF)：
968
Date：
2013-01-31

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