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PSMN2R6-40YS	文件：733.23 Kbytes Page：13 Pages	N-channel LFPAK 40 V 2.8 mΩ standard level MOSFET 1.1 General description Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefits Advanced TrenchMOS provides low RDSon and low gate cha 文件：733.23 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN2R6-40YS	文件：229.56 Kbytes Page：13 Pages	N-channel LFPAK 40 V 2.8 m廓 standard level MOSFET 文件：229.56 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
PSMN2R6-40YS	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel LFPAK 40 V 2.8 mΩ standard level MOSFET Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. • Advanced TrenchMOS provides low RDSon and low gate charge\n• High efficiency gains in switching power converters\n• Improved mechanical and thermal characteristics\n• LFPAK provides maximum power density in a Power SO8 package;	Nexperia 安世	Nexperia
PSMN7R6-100BSEJ	文件：0 bytes Page：0 Pages	Nexperia TO-263	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司上传：深圳市铭尔达科技有限公司	NEXPERIA
PSR05-LF-T7	文件：0 bytes Page：0 Pages	PROTEK SOT143	Protek 上传：深圳市鼎欣微电子有限公司	Protek

技术参数

Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
40
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
2.8
T_j [max] (°C)：
175
I_D [max] (A)：
100
Q_GD [typ] (nC)：
14
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
63
P_tot [max] (W)：
131
Q_r [typ] (nC)：
47
V_GSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
3776
C_oss [typ] (pF)：
948
Date：
2011-01-27

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