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PSMN1R6-40YLC	文件：744.12 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 40 V 1.55 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology 1.1 General description Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK package. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefits • High reliability Power SO8 package, qualified to 150°C • Op 文件：744.12 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN1R6-40YLC	文件：239.17 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 40 V 1.55 m廓 logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology 文件：239.17 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
PSMN1R6-40YLC_15	文件：239.17 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 40 V 1.55 m廓 logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology 文件：239.17 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN1R6-40YLC	文件：300 bytes Page：1 Pages	PSMN1R6-40YLC - N-channel 40 V 1.55 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology N-channel 40 V 1.55 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology - Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK package. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. ·High reliability Power SO8 package, qualified to 150°C\n·Optimised for 4.5V Gate drive utilising NextPower Superjunction technology\n·Ultra low QG, QGD, & QOSS for high system efficiencies at low and high loads\n·Ultra low Rdson and low parasitic inductance;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
LFPAK56E; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
40
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
1.55
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
1.8
T_j [max] (°C)：
150
I_D [max] (A)：
100
Q_GD [typ] (nC)：
15.3
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 4.5 V (nC)：
59
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
126
P_tot [max] (W)：
288
Q_r [typ] (nC)：
62
V_GSth [typ] (V)：
1.46
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
7790
C_oss [typ] (pF)：
1063
Date：
2012-05-17

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