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PSMN1R6-25YLE中文资料N-channel 25 V, 1.9 mOhm, ASFET for hotswap with enhanced SOA in LFPAK56数据手册Nexperia规格书
PSMN1R6-25YLE规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode ASFET for hotswap with enhanced SOA in LFPAK56 package optimized for low RDSon and strong safe operating area, optimized for hot-swap, inrush and linear-mode applications.
特性 Features
• Fully optimized Safe Operating Area (SOA) for superior linear mode operation
• Optimized for low RDSon / low I2R conduction losses
• LFPAK56 package for applications that demand the highest performance and reliability in a 30 mm2 footprint
• Low leakage <1 µA at 25 °C
• Copper-clip for low parasitic inductance and resistance
• High reliability LFPAK package, qualified to 175 °C
应用 Application
• Hot swap in 12 V - 20 V applications
• e-Fuse
• DC switch
• Load switch
• Battery protection
技术参数
- 制造商编号
：PSMN1R6-25YLE
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：LFPAK56; Power-SO8
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：25
- RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
：1.88
- Tj [max] (°C)
：175
- ID [max] (A)
：185
- QGD [typ] (nC)
：5
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：16
- QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
：37
- Ptot [max] (W)
：124
- Qr [typ] (nC)
：13
- VGSth [typ] (V)
：1.91
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：2465
- Coss [typ] (pF)
：1455
- Release date
：2022-09-19
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