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PSMN1R2-30YLC	文件：351.82 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 30 V 1.25m廓 logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology General description Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK package. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. Features and benefits ■ High reliability Power SO8 package, qualified to 175°C ■ Op 文件：351.82 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
PSMN1R2-30YLC	文件：1.78504 Mbytes Page：8 Pages	NextPower 25 V & 30 V MOSFETs in LFPAK(Power-SO8) Key applications } Synchronous buck regulators } DC-DC conversion } Voltage regulator modules (VRM) } Power OR-ing 文件：1.78504 Mbytes 页数：8 Pages	恩XP	恩XP
PSMN1R2-30YLC	文件：931.74 Kbytes Page：15 Pages	丝印：1C230L；Package：SOT669；N-channel 30 V 1.25mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology 1.1 General description Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK package. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefits High reliability Power SO8 package, qualified to 175°C Opt 文件：931.74 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN1R2-30YLC	文件：1.8032 Mbytes Page：8 Pages	NextPower MOSFETs 文件：1.8032 Mbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN1R2-30YLC	文件：1.8032 Mbytes Page：8 Pages	NextPower 25 V & 30 V MOSFETs in LFPAK(Power-SO8) 文件：1.8032 Mbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN1R2-30YLC	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 30 V 1.25mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK package. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. • High reliability Power SO8 package, qualified to 175°C\n• Optimised for 4.5V Gate drive utilising NextPower Superjunction technology\n• Ultra low QG, QGD, & QOSS for high system efficiencies at low and high loads\n• Ultra low Rdson and low parasitic inductance;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
1.25
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
1.65
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
100
QGD [typ] (nC)：
11.6
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
38
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
78
Ptot [max] (W)：
215
Qr [typ] (nC)：
45
VGSth [typ] (V)：
1.46
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
5093
Coss [typ] (pF)：
977.00006
Release date：
2011-04-06

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