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PSMN1R1-80CSF	文件：375.42 Kbytes Page：13 Pages	丝印：XP1F1S80C；Package：CCPAK1212i；NextPower 80 V, 1.16 mOhm, N-channel MOSFET in CCPAK1212i package 1. General description NextPower 80 V, standard level gate drive MOSFET. Qualified to 175 °C and recommended for high power industrial and consumer applications. 2. Features and benefits • Low Qrr for higher efficiency and lower spiking • 385 Amps ID(max) continuous current rating • Low QG 文件：375.42 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN1R1-80CSF	文件：300 bytes Page：1 Pages	NextPower 80 V, 1.16 mOhm, N-channel MOSFET in CCPAK1212i package NextPower 80 V, standard level gate drive MOSFET. Qualified to 175 °C and recommended for high power industrial and consumer applications.	Nexperia 安世	Nexperia
PSMN1R1-80ASF	文件：397.7 Kbytes Page：13 Pages	NextPower 80 V, 1.11 mOhm, N-channel MOSFET in CCPAK1212 package 1. General description NextPower 80 V, standard level gate drive MOSFET. Qualified to 175 °C and recommended for high power industrial and consumer applications. 2. Features and benefits • Low Qrr for higher efficiency and lower spiking • 385 A ID(max) continuous current rating • Low QG × 文件：397.7 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN1R5-30YLC	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT669	Nexperia(安世) 上传：深圳市金芯世纪电子有限公司	Nexperia(安世)
PSMN1R8-40YLC,115	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-669	NEXPERIA/安世上传：美源芯科（深圳）电子科技有限公司	NEXPERIA/安世

技术参数

Package name：
CCPAK1212i
Product status：
Development
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
80
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
1.16
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
400
QGD [typ] (nC)：
34
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
206
Ptot [max] (W)：
1071
Qr [typ] (nC)：
82
VGSth [typ] (V)：
3
Ciss [typ] (pF)：
15363
Coss [typ] (pF)：
4580
Release date：
2024-05-06

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