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PSMN1R0-80CSE	文件：268.51 Kbytes Page：8 Pages	N-channel, 80 V, 0.95 mOhm, MOSFET with enhanced SOA in CCPAK1212i package Generaldescription N-channelenhancementmodeMOSFETinaCCPAK1212ipackagequalifiedto175°C. PartofNexperia'sApplicationSpecificMOSFETs(ASFETs)forHotswapandSoftStart.The PSMN1R0-80CSEdeliversverylowRDSonandenhancedsafeoperatingareaperformanceina high-reliability	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN1R0-80CSE	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel, 80 V, 0.95 mOhm, MOSFET with enhanced SOA in CCPAK1212i package; N-channel enhancement mode MOSFET in a CCPAK1212i package qualified to 175 °C. Part of Nexperia's Application Specific MOSFETs (ASFETs) for Hotswap and Soft Start. The PSMN1R0-80CSE delivers very low RDSon and enhanced safe operating area performance in a high-reliability copper-clip package (CCPAK1212).\n PSMN1R0-80CSE complements the latest \"hot-swap\" controllers - robust enough to withstand substantial inrush currents during turn-on, low RDSon to minimize I²R losses and deliver optimum efficiency when turned fully ON.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia

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PSMN1R0-80CSE

文件：268.51 Kbytes

Page：8 Pages

N-channel, 80 V, 0.95 mOhm, MOSFET with enhanced SOA in CCPAK1212i package

Generaldescription N-channelenhancementmodeMOSFETinaCCPAK1212ipackagequalifiedto175°C. PartofNexperia'sApplicationSpecificMOSFETs(ASFETs)forHotswapandSoftStart.The PSMN1R0-80CSEdeliversverylowRDSonandenhancedsafeoperatingareaperformanceina high-reliability

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

PSMN1R0-80CSE

文件：300 bytes

Page：1 Pages

N-channel, 80 V, 0.95 mOhm, MOSFET with enhanced SOA in CCPAK1212i package;

N-channel enhancement mode MOSFET in a CCPAK1212i package qualified to 175 °C. Part of Nexperia's Application Specific MOSFETs (ASFETs) for Hotswap and Soft Start. The PSMN1R0-80CSE delivers very low RDSon and enhanced safe operating area performance in a high-reliability copper-clip package (CCPAK1212).\n PSMN1R0-80CSE complements the latest \"hot-swap\" controllers - robust enough to withstand substantial inrush currents during turn-on, low RDSon to minimize I²R losses and deliver optimum efficiency when turned fully ON.\n

安世安世半导体(中国)有限公司

Nexperia

技术参数

Package name：
CCPAK1212i
Product status：
Development
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
80
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
0.95
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
400
QGD [typ] (nC)：
47
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
286
Ptot [max] (W)：
1071
Qr [typ] (nC)：
113
VGSth [typ] (V)：
2.6
Ciss [typ] (pF)：
21398
Coss [typ] (pF)：
6453
Release date：
2024-05-06

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市拓亿芯电子有限公司	PSMN1R1-25YLC	恩XP	23+	SOT669	30000	代理全新原装现货,价格优势	询价
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更多PSMN1R0-80CSE供应商更新时间2025-7-29 15:05:00

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