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PSMN1R0-30YLE	文件：321.57 Kbytes Page：13 Pages	Marking：1E0L30Y；Package：SOT669；N-channel 30 V, 1.1 mOhm, ASFET for hotswap with enhanced SOA in LFPAK56 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeASFETforhotswapwithenhancedSOAinLFPAK56package optimizedforlowRDSonandstrongsafeoperatingarea,optimizedforhot-swap,inrushandlinearmode applications. 2.Featuresandbenefits •FullyoptimizedSafeOperatingArea(SOA)for	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN1R0-30YLC	文件：307.78 Kbytes Page：15 Pages	N-channel30V1.15m廓logiclevelMOSFETinLFPAKusingNextPowertechnology	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PSMN1R0-30YLC	文件：753.4 Kbytes Page：14 Pages	N-channel30V1.15mΩlogiclevelMOSFETinLFPAKusingNextPowertechnology 1.Generaldescription LogiclevelenhancementmodeN-channelMOSFETinLFPAKpackage.Thisproduct isdesignedandqualifiedforuseinawiderangeofindustrial,communicationsand domesticequipment. 2.Featuresandbenefits •HighreliabilityPowerSO8package,qualifiedto175°C •Opti	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN1R0-30YLC	文件：1.8032 Mbytes Page：8 Pages	NextPowerMOSFETs	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PSMN1R0-30YLC	文件：1.8032 Mbytes Page：8 Pages	NextPower25V&30VMOSFETsinLFPAK(Power-SO8)	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PSMN1R0-30YLD	文件：724.08 Kbytes Page：13 Pages	N-channel30V,1.0m廓,300AlogiclevelMOSFETinLFPAK56usingNextPowerS3Technology	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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更多PSMN1R0-30YLE供应商更新时间2025-5-27 15:01:00

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