PSMN0R7-25YLD 分立半导体产品晶体管 - FET,MOSFET - 单个 恩XP

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原厂料号:PSMN0R7-25YLD品牌:恩XP

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PSMN0R7-25YLD是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个。制造商恩XP/Nexperia USA Inc.生产封装SOT669/的PSMN0R7-25YLD晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

  • 芯片型号:

    PSMN0R7-25YLD

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 企业简称:

    NEXPERIA【安世】详情

  • 厂商全称:

    Nexperia B.V.

  • 中文名称:

    安世半导体(中国)有限公司

  • 内容页数:

    14 页

  • 文件大小:

    279.24 kb

  • 资料说明:

    N-channel 25 V, 0.72 m廓, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology

产品属性

更多
  • 类型

    描述

  • 制造商编号

    :PSMN0R7-25YLD

  • 生产厂家

    :安世

  • Package name

    :LFPAK56E; Power-SO8

  • Product status

    :Production

  • Channel type

    :N

  • Nr of transistors

    :1

  • VDS [max] (V)

    :25

  • RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)

    :0.72

  • RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)

    :0.92

  • Tj [max] (°C)

    :150

  • ID [max] (A)

    :300

  • QGD [typ] (nC)

    :11.900001

  • QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)

    :50.899998

  • QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)

    :110.2

  • Ptot [max] (W)

    :158

  • Qr [typ] (nC)

    :83.2

  • VGSth [typ] (V)

    :1.66

  • Automotive qualified

    :N

  • Ciss [typ] (pF)

    :8320

  • Coss [typ] (pF)

    :2982

  • Release date

    :2014-10-10

供应商

  • 企业:

    深圳市威尔健半导体有限公司

  • 商铺:

    进入商铺留言

  • 联系人:

    苏经理

  • 手机:

    17302670410

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  • 电话:

    0755-83383789

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    深圳市福田区华强北路1019号华强广场A栋17e