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PSMN045-80YS	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel LFPAK 80 V 45 mΩ standard level MOSFET; • Advanced TrenchMOS provides low RDSon and low gate charge\n• High efficiency gains in switching power converters\n• Improved mechanical and thermal characteristics\n• LFPAK provides maximum power density in a Power SO8 package\n; Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment.\n	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	Nexperia

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PSMN045-80YS

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N-channel LFPAK 80 V 45 mΩ standard level MOSFET; • Advanced TrenchMOS provides low RDSon and low gate charge\n• High efficiency gains in switching power converters\n• Improved mechanical and thermal characteristics\n• LFPAK provides maximum power density in a Power SO8 package\n;

Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment.\n

安世安世半导体(中国)有限公司

Nexperia

技术参数

Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
80
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
45
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
24
QGD [typ] (nC)：
3.1000001
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
9
Ptot [max] (W)：
56
Qr [typ] (nC)：
42
VGSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
675
Coss [typ] (pF)：
79
Release date：
2011-01-27

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