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PSMN027-100BS	文件：349.63 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 37A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 26.8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：349.63 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PSMN027-100BS	文件：805.72 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 100V 26.8 mΩ standard level MOSFET in D2PAK. 1.1 General description Standard level N-channel MOSFET in D2PAK package qualified to 175C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefits  High efficiency due to low switching and conduction los 文件：805.72 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN027-100PS	文件：372.2 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 37A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 26.8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：372.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PSMN027-100PS	文件：805.24 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 100V 26.8 mΩ standard level MOSFET in TO220 1.1 General description Standard level N-channel MOSFET in TO220 package qualified to 175C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefits  High efficiency due to low switching and conduction los 文件：805.24 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN027-100BS	文件：210.91 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 100V 26.8 m standard level MOSFET in D2PAK 文件：210.91 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN027-100BS_15	文件：210.91 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 100V 26.8 m廓 standard level MOSFET in D2PAK 文件：210.91 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN027-100PS	文件：248.04 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 100V 26.8 m廓 standard level MOSFET in TO220 文件：248.04 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
PSMN027-100XS	文件：902.25 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：902.25 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
PSMN027-100XS	文件：362.64 Kbytes Page：16 Pages	N-channel 100V 26.8 m廓 standard level MOSFET in TO220F(SOT186A) 文件：362.64 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN027-100PS	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 100V 26.8 mΩ standard level MOSFET in TO220. Standard level N-channel MOSFET in TO220 package qualified to 175C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. • High efficiency due to low switching and conduction losses\n• Suitable for standard level gate drive;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
D2PAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
100
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
26.8
T_j [max] (°C)：
175
I_D [max] (A)：
37
Q_GD [typ] (nC)：
9
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
30
P_tot [max] (W)：
103
Q_r [typ] (nC)：
91
V_GSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
1624
C_oss [typ] (pF)：
115
Date：
2011-10-25

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	PSMN027-100BS	NEXPERIA/安世	25+	SOT404A	600000	NEXPERIA/安世全新特价PSMN027-100BS即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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