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PSMN017-60YS	文件：811.62 Kbytes Page：15 Pages	N-channel LFPAK 60 V 15.7 mΩ standard level MOSFET 1.1 General description Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefits Advanced TrenchMOS provides low RDSon and low gate cha 文件：811.62 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN017-60YS	文件：251.34 Kbytes Page：15 Pages	N-channel LFPAK 60 V 15.7 m廓 standard level MOSFET 文件：251.34 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
PSMN017-60YS	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel LFPAK 60 V 15.7 mΩ standard level MOSFET Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. • Advanced TrenchMOS provides low RDSon and low gate charge\n• High efficiency gains in switching power converters\n• Improved mechanical and thermal characteristics\n• LFPAK provides maximum power density in a Power SO8 package;	Nexperia 安世	Nexperia
FRX-017-60	文件：121.76 Kbytes Page：3 Pages	Radial Leaded PTC FRX Series 文件：121.76 Kbytes 页数：3 Pages	DBLECTRO	DBLECTRO
FRX017-60	文件：121.76 Kbytes Page：3 Pages	Radial Leaded PTC FRX Series 文件：121.76 Kbytes 页数：3 Pages	DBLECTRO	DBLECTRO
FRX017-60F	文件：153.77 Kbytes Page：3 Pages	Radial Leaded PTC Resettable Fuse : FRX Series 文件：153.77 Kbytes 页数：3 Pages	FUZETEC 富致科技	FUZETEC

技术参数

Package name：
LFPAK56; Power-SO8
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
15.7
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
44
QGD [typ] (nC)：
4.4
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
20
Ptot [max] (W)：
74
Qr [typ] (nC)：
38.9
VGSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
1172
Coss [typ] (pF)：
164
Release date：
2011-01-27

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