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PSMN017-30BL	文件：349.32 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 32A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 17mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：349.32 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PSMN017-30BL	文件：795.23 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 30 V 17 mΩ logic level MOSFET in D2PAK 1.1 General description Logic level N-channel MOSFET in D2PAK package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefits  High efficiency due to low switching and conduction loss 文件：795.23 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSMN017-30BL	文件：198.75 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 30 V 17 milliohm logic level MOSFET in D2PAK 文件：198.75 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
PSMN017-30BL_15	文件：198.75 Kbytes Page：14 Pages	N-channel 30 V 17 m廓 logic level MOSFET in D2PAK 文件：198.75 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
PSMN017-30BL	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel 30 V 17 mΩ logic level MOSFET in D2PAK Logic level N-channel MOSFET in D2PAK package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. • High efficiency due to low switching and conduction losses\n• Suitable for logic level gate drive sources;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
D2PAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
30
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
17
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
23.3
T_j [max] (°C)：
175
I_D [max] (A)：
32
Q_GD [typ] (nC)：
1.94
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 4.5 V (nC)：
5.1
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
10.7
P_tot [max] (W)：
47
Q_r [typ] (nC)：
6.5
V_GSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
N
C_iss [typ] (pF)：
552
C_oss [typ] (pF)：
127
Date：
2012-03-16

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