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PSMN010-55D	文件：297.92 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 10.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：297.92 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
PSMN010-55D	文件：100.84 Kbytes Page：9 Pages	N-channel logic level TrenchMOS횚 transistor 文件：100.84 Kbytes 页数：9 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PSMN010-55D	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel logic level TrenchMOSÔ transistor	恩XP	恩XP
PSMN034-100PS	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	恩XP 上传：深圳市芯峰微电子科技有限公司	恩XP
PSMN040-100MSE	文件：0 bytes Page：0 Pages	LFPAK33-8	NEXPERIA 安世上传：深圳市源泽芯电子有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PSMN010-55D
功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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