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PSMN006-20K	文件：691.37 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSSiliconMAXultralowlevelFET 1.1Generaldescription SiliconMAXultralowlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)in aplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedfor useincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresand	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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PSMN006-20K

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N-channelTrenchMOSSiliconMAXultralowlevelFET

1.1Generaldescription SiliconMAXultralowlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)in aplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedfor useincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresand

安世安世半导体(中国)有限公司

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