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PSMN005-25D	文件：99.62 Kbytes Page：9 Pages	N-channel logic level TrenchMOS transistor GENERALDESCRIPTION SiliconMAXproductsusethelatestPhilipsTrenchtechnologytoachievethelowestpossibleon-stateresistanceineachpackageateachvoltagerating. FEATURES •’Trench’technology •Verylowon-stateresistance •Fastswitching •Logiclevelcompatible Applications:-	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PSMN005-25D	文件：298.29 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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N-channel logic level TrenchMOS transistor

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

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详细参数

型号：
PSMN005-25D
功能描述：
MOSFET TRENCH<=30
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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