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PSD36C

High Powered TVS Array

JGSEMI

金锆半导体

技术参数

  • Breakdown Voltage V(BR) Volts:

    40.00

  • Clamping Voltage VC Volts:

    60.00

  • Peak Current IPP Amps:

    1.00

  • Leakage Current @ VWM µA:

    1.00

  • Capacitance pF:

    35.00

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOD-323
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