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RG140N	文件：704.92 Kbytes Page：3 Pages	DCaxialfans	EBMPAPSTebm-papst 依必安派特依必安派特公司	EBMPAPST
RJU140	文件：95.93 Kbytes Page：3 Pages	MetalOxideResistors,SpecialPurposeHighPower,UltraHighValue	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
RPP140	文件：263.12 Kbytes Page：3 Pages	FOTOREZYSTORY	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
RS-140	文件：232.61 Kbytes Page：2 Pages	Micro-sizeSurfaceMountableInfraredRemoteControlReceiverUnit [Citizen-Electronics] Features 1.TheRS-100serieshaveexcellentlightandnoiseresistanceascomparedtotheexistingproduct. 2.TheRS-170series,whichareextremelysmallandthinmodels,providetopsurfaceandbottomsurfacemountingavailability. 3TheRS-180serieswithl	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
RTAN140C	文件：131.8 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORWITHRESISTORFORMUTINGAPPLICATIONSILICONNPNEPITAXIALTYPE FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=10kΩ) ◾Smallpackageforeasymounting. ◾HighreversehFE ◾Smallcollectortoemittersaturationvoltage. VCE(sat)=10mV(TYP.)（@IC=10mA/IB=0.5mA） ◾LowonResistance Ron=0.94Ω(TYP.)（@VI=7V） APPLICATION mutingcircuit,switchingcircuit	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RTAN140M	文件：131.8 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORWITHRESISTORFORMUTINGAPPLICATIONSILICONNPNEPITAXIALTYPE FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=10kΩ) ◾Smallpackageforeasymounting. ◾HighreversehFE ◾Smallcollectortoemittersaturationvoltage. VCE(sat)=10mV(TYP.)（@IC=10mA/IB=0.5mA） ◾LowonResistance Ron=0.94Ω(TYP.)（@VI=7V） APPLICATION mutingcircuit,switchingcircuit	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RTAN140U	文件：131.8 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORWITHRESISTORFORMUTINGAPPLICATIONSILICONNPNEPITAXIALTYPE FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=10kΩ) ◾Smallpackageforeasymounting. ◾HighreversehFE ◾Smallcollectortoemittersaturationvoltage. VCE(sat)=10mV(TYP.)（@IC=10mA/IB=0.5mA） ◾LowonResistance Ron=0.94Ω(TYP.)（@VI=7V） APPLICATION mutingcircuit,switchingcircuit	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RTAN140X	文件：131.8 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTORWITHRESISTORFORMUTINGAPPLICATIONSILICONNPNEPITAXIALTYPE FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=10kΩ) ◾Smallpackageforeasymounting. ◾HighreversehFE ◾Smallcollectortoemittersaturationvoltage. VCE(sat)=10mV(TYP.)（@IC=10mA/IB=0.5mA） ◾LowonResistance Ron=0.94Ω(TYP.)（@VI=7V） APPLICATION mutingcircuit,switchingcircuit	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RUS140	文件：43.25 Kbytes Page：2 Pages	50ULTRA-FASTRECOVERYAXIALLEADRECTIFIERDIODES	edi Electronic devices inc.	edi
RX140	文件：2.11081 Mbytes Page：118 Pages	48-MHz,32-bitRXMCUs,on-chipFPU,204Coremark,upto256-KBflashmemory,upto36pinscapacitivetouchsensingunit,upto9commschannels,12-bitA/D,D/A,RTC,IEC60730compliance,1.8-Vto5.5-Vsinglesupply,Encryptionfunctions(optional) Features ■32-bitRXv2CPUcore •Max.operatingfrequency:48MHz Capableof204Coremarkinoperationat48MHz •EnhancedDSPinstructions:32-bitmultiply-accumulateinstructions, and16-bitmultiply-subtractinstructionsaresupported. •On-chipFPU:32-bitsingle-precisionfloatingpoi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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