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PSC1065B1	文件：202.85 Kbytes Page：9 Pages	650 V, 10 A SiC Schottky diode in bare die General description Nexperia introduces leading edge Silicon Carbide (SiC) Schottky diode for ultra-high performance, low loss, high efficiency power conversion applications. The Merged PiN Schottky (MPS) diode delivered as bare die in Tape and Reel (T & R) offers temperature independent capaci 文件：202.85 Kbytes 页数：9 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSC1065B1	文件：300 bytes Page：1 Pages	650 V, 10 A SiC Schottky diode in bare die Nexperia introduces leading edge Silicon Carbide (SiC) Schottky diode for ultra-high performance, low loss, high efficiency power conversion applications. The Merged PiN Schottky (MPS) diode delivered as bare die in Tape and Reel (T & R) offers temperature independent capacitive turn-off, zero recov	Nexperia 安世	Nexperia
PSC1065B1-Q	文件：234.59 Kbytes Page：9 Pages	650 V, 10 A SiC Schottky diode in bare die for automotive applications General description Nexperia introduces leading edge Silicon Carbide (SiC) Schottky diode for ultra-high performance, low loss, high efficiency power conversion applications. The Merged PiN Schottky (MPS) diode delivered as bare die in Tape and Reel (T & R) offers temperature independent capaci 文件：234.59 Kbytes 页数：9 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PSC1065B1-Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	650 V, 10 A SiC Schottky diode in bare die for automotive applications Nexperia introduces leading edge Silicon Carbide (SiC) Schottky diode for ultra-high performance, low loss, high efficiency power conversion applications. The Merged PiN Schottky (MPS) diode delivered as bare die in Tape and Reel (T & R) offers temperature independent capacitive turn-off, zero recov	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
PSC1065B1
Size (mm)：
1.45 x 1.45 x 0.11
VRRM [max] (V)：
650
VF [max] @25 C (V)：
1.8
@IF [max] @140 C (A)：
10
IR [max] @25 C (µA)：
60
@VR (V)：
650
IFSM [max] (A)：
440
Configuration：
single
Ptot [max] (W)：
65

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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