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PSBDB60V3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Schottky Barrier Diode	Prisemi 芯导科技	Prisemi
RJH60V3BDPE	文件：98.81 Kbytes Page：10 Pages	600V - 17A - IGBT Application: Inverter Features  Short circuit withstand time (6 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 17 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)  Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package  Trench gate and thin wafer technology  High speed switching tf = 75 ns 文件：98.81 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
PSC-4-5+	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP8	Mini-Circuits 上传：深圳市向鸿伟业电子有限公司	Mini-Circuits
PSC5425	文件：0 bytes Page：0 Pages		PRISEMI 芯导科技上传：深圳市兴联达电子有限公司(原兴达电子)	PRISEMI
PSC9132PSE1MNMA	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳市昂芯微科技有限公司	freescale

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更多PSBDB60V3供应商更新时间2025-12-17 18:35:00