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IMIC9531CY	文件：115.59 Kbytes Page：10 Pages	PCIXI/OSystemClockGeneratorwithEMIControlFeatures Features •Dedicatedclockbufferpowerpinsforreducednoise, crosstalkandjitter •Inputclockfrequencyof25MHzto33MHz •OutputfrequenciesofXINx1,XINx2,XINx3andXINx4 •Oneoutputbankoffiveclocks •OneREFXINclockoutput •SMBusclockcontrolinterfaceforindividua	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
IMIC9531CY	文件：234.47 Kbytes Page：10 Pages	PCIXI/OSystemClockGeneratorwithEMIControlFeatures	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
IMIC9531CY	文件：1.08629 Mbytes Page：10 Pages	PCIXI/OSystemClockGeneratorwithEMIControlFeatures Features •Dedicatedclockbufferpowerpinsforreducednoise, crosstalkandjitter •Inputclockfrequencyof25MHzto33MHz •OutputfrequenciesofXINx1,XINx2,XINx3andXINx4 •Oneoutputbankoffiveclocks •OneREFXINclockoutput •SMBusclockcontrolinterfaceforindividua	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
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IMIC9531CYT	文件：115.59 Kbytes Page：10 Pages	PCIXI/OSystemClockGeneratorwithEMIControlFeatures Features •Dedicatedclockbufferpowerpinsforreducednoise, crosstalkandjitter •Inputclockfrequencyof25MHzto33MHz •OutputfrequenciesofXINx1,XINx2,XINx3andXINx4 •Oneoutputbankoffiveclocks •OneREFXINclockoutput •SMBusclockcontrolinterfaceforindividua	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
IMIC9531CYT	文件：234.47 Kbytes Page：10 Pages	PCIXI/OSystemClockGeneratorwithEMIControlFeatures	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
IRF9531	文件：449.2 Kbytes Page：6 Pages	TRANSISTORS Features: ■P-ChannelVersatility ■CompactPlasticPackage ■FastSwitching ■LowDriveCurrent ■EaseofParalleling ■ExcellentTemperatureStability	IRF International Rectifier	IRF
IRF9531	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF9531	文件：378.27 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF9531	文件：371.57 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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