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S9013	文件：525.83 Kbytes Page：2 Pages	Powerdissipation FEATURE Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55℃to+150℃	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
S9013	文件：1.28766 Mbytes Page：5 Pages	NPNGeneralpurposeAmplifier	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
S9013	文件：661.49 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
S9013	文件：275.84 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforusein1WoutputamplifierofportableradiosinclassBpush-pulloperation.	DCCOM Dc Components	DCCOM
S9013	文件：588.94 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●HighCollectorCurrent.(IC=500mA） ●ComplementaryToS9012. ●ExcellentHFELinearity. ●Powerdissipation.(PC=300mW) APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
S9013	文件：708.78 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighCollectorCurrent. ComplementartyoS9012. ExcellenhtFELinearity.	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
S9013	文件：438.76 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ComplementarytoS9012 ExcellenthFElinearity	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
S9013	文件：856.2 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES HighCollectorCurrent. ComplementartyoS9012. ExcellenhtFELinearity.	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
S9013-G	文件：203.33 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconTransistors Features •TO-92Plastic-EncapsulateTransistors •Capableof0.625Watts(Tamb=25OC)ofPowerDissipation. •Collector-current0.5A •Collector-baseVoltage40V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55℃to+150℃ •MarkingCode:S9013 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffix	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
S9013-G	文件：248.42 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconTransistors Features •TO-92Plastic-EncapsulateTransistors •Capableof0.625Watts(Tamb=25OC)ofPowerDissipation. •Collector-current0.5A •Collector-baseVoltage40V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55℃to+150℃ •MarkingCode:S9013 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffix	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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