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RT9013B	文件：193.45 Kbytes Page：10 Pages	300mA,LowDropout,LowNoiseUltra-FastWithoutBypassCapacitorCMOSLDORegulator GeneralDescription TheRT9013Bisahigh-performance,300mALDOregulator,offeringextremelyhighPSRRandultra-lowdropout.TheRT9013BisIdealforportableRFandwirelessapplicationswithdemandingperformanceandspacerequirements. Features •WideOperatingVoltageRange:2.2Vto5.5	RichTekRichtek Technology Corporation 立锜科技立锜科技股份有限公司	RichTek
RT9013-CIPQV	文件：300.61 Kbytes Page：12 Pages	500mA,LowDropout,LowNoiseUltra-FastWithoutBypassCapacitorCMOSLDORegulator GeneralDescription TheRT9013isahigh-performance,500mALDOregulator,offeringextremelyhighPSRRandultra-lowdropout.IdealforportableRFandwirelessapplicationswithdemandingperformanceandspacerequirements. Features WideOperatingVoltageRanges:2.2Vto5.5V Low	RichTekRichtek Technology Corporation 立锜科技立锜科技股份有限公司	RichTek
RT9013-XXGB	文件：1.64437 Mbytes Page：5 Pages	500mAHigt-PSRRVoltageRegulator Features\| «QuiescentCurent:60\| *PSRR750B@IKHZ ©	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
S9013	文件：87.63 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor	AUK AUK corp	AUK
S9013	文件：52.23 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheS9013isdesignedforusein1WoutputamplifierofportableradiosinclassBpush-pulloperation. Features •HighTotalPowerDissipation.(PT:625mW) •HighCollectorCurrent.(IC:500mA) •ComplementarytoS9012 •Excellentlinearity.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
S9013	文件：349.4 Kbytes Page：1 Pages	GeneralPurposeTransistor FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W CollectorCurrent ICM:0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operating&storagejunctiontemperature Tj,Tstg:-55°C~+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S9013	文件：963.59 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICENCAPSULATETRANSISTORS [SHENZHENSLSTECHNOLOGYCO.,LTD.] Features: PCandICarelarger,hFElinearityisgood; Applications: Usedinpoweramplifiercircuit,complementarytoS9012.	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
S9013	文件：40.08 Kbytes Page：4 Pages	1WOutputAmplifierofPotableRadiosinClassBPush-pullOperation. 1WOutputAmplifierofPotableRadiosinClassBPush-pullOperation. •Hightotalpowerdissipation.(PT=625mW) •HighCollectorCurrent.(IC=500mA) •ComplementarytoSS9012 •ExcellenthFElinearity.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
S9013	文件：230.77 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●HighCollectorCurrent.(IC=500mA） ●ComplementaryToS9012. ●ExcellentHFELinearity. ●Powerdissipation.(PC=300mW) APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
S9013	文件：593.19 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ComplementarytoS9012 ●ExcellenthFElinearity	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PS9013-V供应商更新时间2025-5-29 11:06:00

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