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RM2301E	文件：272.13 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=-20V,ID=-2.6A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RN2301	文件：261.5 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●ComplementarytoRN1301~1306	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RSM2301P	文件：465.56 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RTM2301	文件：187.77 Kbytes Page：4 Pages	20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
RTM2301CX	文件：187.77 Kbytes Page：4 Pages	20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET	SIRECTSirectifier Global Corp. 矽莱克半导体深圳市矽莱克半导体有限公司	SIRECT
RTM2301CX	文件：465.63 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
S2301	文件：1.02155 Mbytes Page：13 Pages	N-channelSiCpowerMOSFETbaredie	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
S2301	文件：870.18 Kbytes Page：12 Pages	N-channelSiCpowerMOSFETbaredie	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SD2301	文件：464.68 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SDB2301	文件：170.03 Kbytes Page：4 Pages	Highspeedswitching	AUK AUK corp	AUK

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