电力半导体器件>IGBT功率模块价格批发报价2026供应商货源厂家信息-114ic电子网

更新时间 2026-11-1 10:19:00

型号M80-4602042 库存搜索

详情电力半导体器件>IGBT功率模块原装进口现货热卖

品牌
HARWIN
数量
3972
封装
SMD
批号
20+
供应商
深圳市东来宝电子科技有限公司

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更新时间 2026-11-1 9:30:00

型号IXGH60N60C3D1 库存搜索

详情电力半导体器件>IGBT功率模块原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! IXGH60N60C3D1现货供应价格IXYS集成电路资料Module23+原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!

品牌
IXYS
数量
1262
封装
Module
批号
23+
供应商
深圳市华睿芯科技有限公司

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更新时间 2026-11-1 9:04:00

型号7MBR100VR060-50 库存搜索

详情电力半导体器件>IGBT功率模块 FUJI/富士电机原装进口价优7MBR100VR060-50 FUJI/富士电机原装进口价优7MBR100VR060-50

品牌
FUJI/富士电机
数量
1000
封装
原装
批号
25+
供应商
中天科工半导体（深圳）有限公司

1+¥888.882+¥666.66

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更新时间 2026-11-1 9:01:00

型号FP40R12KE3 库存搜索

详情电力半导体器件>IGBT功率模块进口原装正品现货优势供应进口原装现货INFINEON英飞凌IGBT模块

品牌
INFINEON/英飞凌
数量
3200
封装
MODULE
批号
19+
供应商
深圳市盈盛科创科技有限公司

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更新时间 2026-11-1 9:01:00

型号2N5462 库存搜索

详情电力半导体器件>IGBT功率模块一站式服务：我们强大的资源让我们不仅仅能为您找到偏冷门及停产产品，同时能以好的价格完成您的整单需求．如果您有计划采购表或者需要一站式服务，请同我们公司的专业人士联系 2N5462现货行情报价FSC集成电路资料TO11+一站式服务：我们强大的资源让我们不仅仅能

品牌
FSC
数量
23650
封装
TO
批号
11+
供应商
深圳市讯运电子有限公司

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更新时间 2026-11-1 8:31:00

型号B39431B3743H110 库存搜索

详情电力半导体器件>IGBT功率模块 B39431B3743H110现货供应批发EPCOS技术参数SMD16+描述：产品类别：

品牌
EPCOS
数量
12000
封装
SMD
批号
24+
供应商
深圳市达恩科技有限公司

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更新时间 2026-11-1 8:08:00

型号AUIPS2051LTR 库存搜索

详情电力半导体器件>IGBT功率模块原装优势库存，有意请来电或QQ微信沟通。 AUIPS2051LTR现货行情报价INFINEON/英飞凌中文资料SOT-22320+原装现货假一赔十

品牌
INFINEON/英飞凌
数量
164
封装
SOT-223
批号
20+
供应商
深圳市华芯伟电子科技有限公司

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更新时间 2026-11-1 8:01:00

型号KD110F40 库存搜索

详情电力半导体器件>IGBT功率模块全新原装正品公司优势热卖产品特价！ KD110F40货源供应商报价SanRex集成电路资料模块12+全新原装正品公司优势热卖产品

品牌
SanRex
数量
300
封装
模块
批号
12+
供应商
深圳市斌腾达科技有限公司

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更新时间 2026-10-31 15:04:00

型号mG200H1AL2 库存搜索

详情电力半导体器件>IGBT功率模块全新原装真实库存含13点增值税票！ MG200H1AL2现货供应批发TOSHIBA中文资料模块2018+全新原装真实库存含13点增值税票！

品牌
TOSHIBA
数量
1000
封装
模块
批号
2018+
供应商
深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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更新时间 2026-10-31 14:02:00

型号PIC16F688T-I/SL 库存搜索

详情电力半导体器件>IGBT功率模块只做原装,可开13个点税票 PIC16F688T-I/SL现货供应批发MICROCHIP/微芯ic资料下载14SOIC1605+只做原装,可开13个点税票

品牌
MICROCHIP/微芯
数量
2739
封装
14SOIC
批号
1605+
供应商
深圳市河锋鑫科技有限公司

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更新时间 2026-10-31 13:01:00

详情电力半导体器件>IGBT功率模块 APTM100A13SG 是由 Microchip Technology（原 Microsemi）生产的一款高性能N 沟道功率 MOSFET 模块，采用 SP6 封装，专为高频开关应用设计。该器件集成了两个 N 通道 MOSFET（半桥配置）及快速恢复二极管，具有低导通电阻、低栅极电荷和优异的雪崩能量耐受能力。核心电气参数漏源击穿电压 ( V DSS )：1000 V 连续漏极电流 ( I D )：65 A (@ = 2 5 ° T C =25 ° C) 导通电阻 ( ( ) R DS(on) )：典型值 130 mΩ，最大值 156 mΩ (@ = 32.5 = 10 I D =32.5A,V GS =10V) 最大功耗 ( P D )：1250 W 工作结温范围?：-40°C 至 +150°C 封装类型：SP6 (底盘安装，M5 电源连接器) 主要特性与优势低寄生电感：对称设计和开尔文源极连接，便于驱动电路设计，减少开关损耗。高频性能：低输入电容和米勒电容，适合高频操作（如电机控制、开关电源）。热性能优异：结到壳热阻 ( R θJC ) 低至 0.1°C/W，支持直接安装散热器。鲁棒性：具备雪崩能量额定值，内在快速恢复二极管，适用于严苛环境。典型应用领域电机控制驱动器开关模式电源 (SMPS) 不间断电源 (UPS) 高频逆变器该器件符合 ?RoHS? 标准，对静电放电 (ESD) 敏感，需遵循适当的处理程序。详细技术规格、性能曲线及安装指南可参考官方数据手册 APTM100A13SG微芯晶闸管模块