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SIR158DP-T1-GE3

订货数量 价格
1+
  • 厂家型号

    SIR158DP-T1-GE3

  • 产品类型

    MOSFET

  • 厂商品牌

    Vishay/Vishay Intertechnology, Inc./维希国际技术公司/维希国际技术公司

  • 封装类型

    QFN8

  • 生产批号

    20+

  • 库存数量

    5000

  • 发布时间

    2020-6-3 11:45:00

详细信息

原装正品特价销售

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIR158DP-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 60A 83W 1.8mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

电子元器件

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