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AGR19090E	文件：395.7 Kbytes Page：10 Pages	90W,1930MHz-1990MHz,PCSLDMOSRFPowerTransistor Introduction TheAGR19090Eisa90W,28VN-channellaterallydiffusedmetaloxidesemiconductor(LDMOS)RFpowerfieldeffecttransistor(FET)suitableforpersonalcommunicationservice(PCS)(1930MHz—1990MHz),wide-bandcodedivisionmultipleaccess(W-CDMA),globalsystemformobilecommun	TriQuint TriQuint Semiconductor, Inc.	TriQuint
AGR19090EF	文件：395.7 Kbytes Page：10 Pages	90W,1930MHz-1990MHz,PCSLDMOSRFPowerTransistor Introduction TheAGR19090Eisa90W,28VN-channellaterallydiffusedmetaloxidesemiconductor(LDMOS)RFpowerfieldeffecttransistor(FET)suitableforpersonalcommunicationservice(PCS)(1930MHz—1990MHz),wide-bandcodedivisionmultipleaccess(W-CDMA),globalsystemformobilecommun	TriQuint TriQuint Semiconductor, Inc.	TriQuint
AGR19090EU	文件：395.7 Kbytes Page：10 Pages	90W,1930MHz-1990MHz,PCSLDMOSRFPowerTransistor Introduction TheAGR19090Eisa90W,28VN-channellaterallydiffusedmetaloxidesemiconductor(LDMOS)RFpowerfieldeffecttransistor(FET)suitableforpersonalcommunicationservice(PCS)(1930MHz—1990MHz),wide-bandcodedivisionmultipleaccess(W-CDMA),globalsystemformobilecommun	TriQuint TriQuint Semiconductor, Inc.	TriQuint
MRF19090	文件：350.65 Kbytes Page：8 Pages	RFPowerFieldEffectTransistors RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforClassABPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1900to2000MHz.SuitableforCDMA,TDMA,GSM,andmulticarrieramplifierapplications. •TypicalCDMAPerformance:1990MHz,26Volts	freescaleFreescaleiscreatingasmarter 飞思卡尔	freescale
MRF19090	文件：300.22 Kbytes Page：8 Pages	RFPOWERFIELDEFFECTTRANSISTORS TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforClassABPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1.9to2.0GHz.SuitableforCDMA,TDMA,GSM,andmulticarrieramplifierapplications. •TypicalCDMAPerformance:1	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MRF19090S	文件：300.22 Kbytes Page：8 Pages	RFPOWERFIELDEFFECTTRANSISTORS TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforClassABPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1.9to2.0GHz.SuitableforCDMA,TDMA,GSM,andmulticarrieramplifierapplications. •TypicalCDMAPerformance:1	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola

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