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RFRX1001SB	文件：1.18543 Mbytes Page：9 Pages	GaAsMMICIQDownconverter10GHzto15.4GHz	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RFRX1001SQ	文件：1.18543 Mbytes Page：9 Pages	GaAsMMICIQDownconverter10GHzto15.4GHz	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RFRX1001SR	文件：1.18543 Mbytes Page：9 Pages	GaAsMMICIQDownconverter10GHzto15.4GHz	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RKBPC1001	文件：56.89 Kbytes Page：4 Pages	10,15,25,35AFASTRECOVERYBRIDGERECTIFIER Features ●DiffusedJunction ●LowReverseLeakageCurrent ●FastSwitching,HighEfficiency ●ElectricallyIsolatedEpoxyCasefor MaximumHeatDissipation ●CasetoTerminalIsolationVoltage2500V	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
RKBPC1001	文件：72.67 Kbytes Page：5 Pages	10,15,25,35AFASTRECOVERYSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
RKBPC1001W	文件：56.89 Kbytes Page：4 Pages	10,15,25,35AFASTRECOVERYBRIDGERECTIFIER Features ●DiffusedJunction ●LowReverseLeakageCurrent ●FastSwitching,HighEfficiency ●ElectricallyIsolatedEpoxyCasefor MaximumHeatDissipation ●CasetoTerminalIsolationVoltage2500V	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
RKBPC1001W	文件：72.67 Kbytes Page：5 Pages	10,15,25,35AFASTRECOVERYSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
RL1001CT	文件：256.97 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDSILICONRECTIFIER	HORNBYNantong Hornby Electronic Co.,Ltd 南通康比电子南通康比电子有限公司	HORNBY
RN1001	文件：253.01 Kbytes Page：6 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RQG1001UPAQF	文件：314.56 Kbytes Page：17 Pages	NPNSiliconGermaniumTransistorHighFrequencyLowNoiseAmplifier Features •IdealforLNAapplications.e.g.Tuner,WirelessLAN,Cordlessphoneandetc. •Highgainandlownoise. MSG=25dBtyp.,NF=0.65dBtyp.atVCE=2V,IC=5mA,f=0.9GHz MSG=22dBtyp.,NF=0.75dBtyp.atVCE=2V,IC=5mA,f=1.8GHz MSG=21dBtyp.,N	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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产品属性

产品编号：
PR1001GL-T
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
15pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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