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PPNGZ52F120A	文件：102.84 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features •Ruggedpolysilicongatecellstructure •highcurrenthandlingcapability,latch-proof •Hermeticallysealedpackage •Lowpackageinductance •Verylowthermalresistance •Reversepolarityavailableuponrequest:PPNH(G)Z52F120B •highfrequencyIGBT,lowswitchinglosses •an	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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详细参数

型号：
PPNGZ52F120A
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2KV 52A 3PIN TO-258 - Bulk

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