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PPNGZ52F120A	文件：102.84 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Rugged polysilicon gate cell structure • high current handling capability, latch-proof • Hermetically sealed package • Low package inductance • Very low thermal resistance • Reverse polarity available upon request: PPNH(G)Z52F120B • high frequency IGBT, low switching losses • an 文件：102.84 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
PPNGZ52F120A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Legacy Power Discretes & Modules	Microchip 微芯科技	Microchip
PPNHZ52F120A	文件：102.84 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Rugged polysilicon gate cell structure • high current handling capability, latch-proof • Hermetically sealed package • Low package inductance • Very low thermal resistance • Reverse polarity available upon request: PPNH(G)Z52F120B • high frequency IGBT, low switching losses • an 文件：102.84 Kbytes 页数：3 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
MSAGZ52F120A	文件：52.35 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Rugged polysilicon gate cell structure • high current handling capability, latch-proof • Hermetically sealed, surface mount power package • Low package inductance • Very low thermal resistance • Reverse polarity available upon request: MSAH(G)Z52F120B • high frequency IGBT, low s 文件：52.35 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
MSAHZ52F120A	文件：52.35 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Rugged polysilicon gate cell structure • high current handling capability, latch-proof • Hermetically sealed, surface mount power package • Low package inductance • Very low thermal resistance • Reverse polarity available upon request: MSAH(G)Z52F120B • high frequency IGBT, low s 文件：52.35 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

详细参数

型号：
PPNGZ52F120A
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2KV 52A 3PIN TO-258 - Bulk

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更多PPNGZ52F120A供应商更新时间2026-1-23 15:46:00

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