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MSAGZ52F120A
厂商型号

MSAGZ52F120A

功能描述

N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件大小

52.35 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

MICROSEMI美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-4 17:26:00

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MSAGZ52F120A规格书详情

Features

• Rugged polysilicon gate cell structure

• high current handling capability, latch-proof

• Hermetically sealed, surface mount power package

• Low package inductance

• Very low thermal resistance

• Reverse polarity available upon request: MSAH(G)Z52F120B

• high frequency IGBT, low switching losses

• anti-parallel FREDiode (MSAHZ52F120A only)

产品属性

  • 型号:

    MSAGZ52F120A

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2KV 52A 3PIN COOLPACK1 - Bulk

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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