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PPMT50V02

P MOSFET

Prisemi

芯导科技

技术参数

  • VDS (V):

    -50

  • VGS (±V):

    20

  • ID (A):

    -0.13

  • RDS(ON)(mΩ)10V:

    10000

  • VGS(th)(V) Min.:

    -0.8

  • VGS(th)(V) Max.:

    -2

  • Package:

    SOT23

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