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PPMT12V4

P MOSFET

Prisemi

芯导科技

技术参数

  • VDS (V):

    -12

  • VGS (±V):

    8

  • ID (A):

    -4.3

  • RDS(ON)(mΩ)4.5V:

    45

  • RDS(ON)(mΩ)2.5V:

    60

  • VGS(th)(V) Min.:

    -0.45

  • VGS(th)(V) Max.:

    -1

  • Package:

    SOT23

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