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PPM8P30V8

MOSFET

Prisemi

芯导科技

PPM8P30V8Q

丝印:4435;Package:SOP-8;P-Channel MOSFET

Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance.

文件:633.47 Kbytes 页数:5 Pages

GWSEMI

唯圣电子

技术参数

  • VDS (V):

    -30

  • VGS (±V):

    20

  • ID (A):

    -8

  • RDS(ON)(mΩ)10V:

    20

  • RDS(ON)(mΩ)4.5V:

    30

  • VGS(th)(V) Min.:

    -1

  • VGS(th)(V) Max.:

    -3

  • Package:

    SOP8

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更多PPM8P30V8供应商 更新时间2025-12-19 9:02:00