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PPM6N30V4

文件：300 bytes

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P MOSFET;

PrisemiShanghai Prisemi Electronics Co.,Ltd.

芯导科技上海芯导电子科技股份有限公司

技术参数

  • VDS (V)：

    -30

  • VGS (±V)：

    12

  • ID (A)：

    -4.2

  • RDS(ON)（mΩ）10V：

    53

  • RDS(ON)（mΩ）4.5V：

    65

  • RDS(ON)（mΩ）2.5V：

    86

  • VGS(th)(V) Min.：

    -0.7

  • VGS(th)(V) Max.：

    -1.3

  • Package：

    DFN2020-6L

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
深圳市艾宇欣科技有限公司
PPM6N30V4
Prisemi
NA
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司
PPM723T201E0
PRISEMI
17PB
SOT-723
48000
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