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PP4B10BD

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:195.61 Kbytes 页数:4 Pages

NIKOSEM

尼克森

PP4B10BD

MOSFET

NIKO-SEM

尼克森

PP4B10BF

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:195.34 Kbytes 页数:4 Pages

NIKOSEM

尼克森

PP4B10BK

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NIKOSEM

尼克森

PP4B10BS

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:195.98 Kbytes 页数:4 Pages

NIKOSEM

尼克森

技术参数

  • Package:

    TO-252

  • Configuration:

    Single

  • Type:

    N

  • ESD Diode:

    No

  • Schottky Diode:

    No

  • VDS (V):

    100

  • VGS (±V):

    20

  • ID (A):

    127

  • RDS(ON)mΩmax at 10V:

    4.2

  • RDS(ON)mΩmax at 4.5V:

    5.6

  • VGS(th) max:

    3

  • Typical Ciss(pF):

    4241

  • Typical Coss(pF):

    765

  • Typical Crss(pF):

    10

  • Typical Qg(nC):

    90

  • Typical Qgd(nC):

    27

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
2025+
DFN5X6
986966
国产
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NIKO-SEM/尼克森
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更多PP4B10BD供应商 更新时间2025-10-6 14:01:00