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2SC2884	文件：442.7 Kbytes Page：3 Pages	丝印：PO1；Package：SOT-89；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES Suitable for output stage of 1 watts amplifier. High DC current gain. Small flat package. PC=1.0 to 2.0W. Complements the 2SA1204. 文件：442.7 Kbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
PO100	文件：51.98 Kbytes Page：2 Pages	75, 100 and 120 Ampere Bridges o Provides 0.40 C/W Junction-to-Case, Thermal Resistance 75, 100 and 120 Ampere Bridges Provides 0.40°C/W Junction-to-Case, Thermal Resistance 文件：51.98 Kbytes 页数：2 Pages	edi	edi
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详细参数

型号：
PO1
功能描述：
两极晶体管 - BJT Transistor NPN 30V 0.8A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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