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详细参数

  • 型号:

    PN4355_Q

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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05+
原厂原装
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24+
3000
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23+
TO-92
50000
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23+
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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8560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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更多PN4355_Q供应商 更新时间2025-10-8 10:31:00