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PN4355分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PN4355
厂商型号

PN4355

参数属性

PN4355 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 0.8A TO92-3

功能描述

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

文件大小

165.38 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Tokyo Electron Ltd.
企业简称

TEL东电电子

中文名称

东京电子有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 11:32:00

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PN4355规格书详情

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

General Purpose Amplifiers

产品属性

  • 产品编号:

    PN4355

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10mA,10V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 0.8A TO92-3

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