| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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FSCPACKAGETO923 |
6869 |
1116+ |
绝对原装现货 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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NATIONALSEMI |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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CENTRAL原厂原包 |
19960 |
23+ |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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Fairchild |
200 |
2002 |
公司优势库存 热卖中!! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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10000 |
现货库存 |
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上海磐岳电子有限公司6年
留言
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FSCTO92 |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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onsemiTO-226-3,TO-92-3 标准主体(!- |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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FSCNA |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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Central Semiconductor CorpTO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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NSC |
6 |
公司优势库存 热卖中!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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Central Semiconductor CorpTO-226-3,TO-92-3 标准主体(!- |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
PN4258采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
PN4258图片
PN4258-18中文资料Alldatasheet PDF
更多PN4258功能描述:两极晶体管 - BJT Switching Transistor PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PN4258_02制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Switching Transistor
PN4258_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PN4258_D74Z功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PN4258_D75Z功能描述:两极晶体管 - BJT Switching Transistor PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PN4258_Q功能描述:两极晶体管 - BJT Switching Transistor PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
PN4258A功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 12V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92
产品属性
- 产品编号：
PN4258
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 10mA，3V
- 频率 - 跃迁：
700MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 供应商器件封装：
TO-92-3
- 描述：
TRANS PNP 12V 0.2A TO92-3
