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SFH4258	文件：176.91 Kbytes Page：11 Pages	IR-Lumineszenzdiode(850nm)mithoherAusgangsleistung	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
SFH4258	文件：448.94 Kbytes Page：13 Pages	HighPowerInfraredEmitter	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
SFH4258	文件：275.82 Kbytes Page：14 Pages	EmittersandDetectorsforInfrared(IR)Touchscreens	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
SFH4258	文件：250.39 Kbytes Page：10 Pages	HighPowerInfraredEmitter(850nm)	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
SFH-4258	文件：448.94 Kbytes Page：13 Pages	2016-09-23	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
SFH4258S	文件：218.25 Kbytes Page：10 Pages	IR-Lumineszenzdiode(850nm)mithoherAusgangsleistung SafetyAdvices Dependingonthemodeofoperation,thesedevicesemithighlyconcentratednonvisible infraredlightwhichcanbehazardoustothehumaneye.Productswhichincorporatethese deviceshavetofollowthesafetyprecautionsgiveninIEC60825-1andIEC62471. Features	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
SFH4258S	文件：448.99 Kbytes Page：13 Pages	HighPowerInfraredEmitter	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
SFH-4258S	文件：448.99 Kbytes Page：13 Pages	HighPowerInfraredEmitter	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
SFH4258-VAW	文件：448.94 Kbytes Page：13 Pages	HighPowerInfraredEmitter	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM

详细参数

型号：
PN4258_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT Switching Transistor PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多PN4258_Q供应商更新时间2025-5-23 14:47:00

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