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SFH-4250	文件：456.47 Kbytes Page：13 Pages	HighPowerInfraredEmitter	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
SFH4250S	文件：462.23 Kbytes Page：13 Pages	HighPowerInfraredEmitter Features: •HighPowerInfraredLED •DoubleStackemitter •Shortswitchingtimes •Theproductqualificationtestplanisbasedontheguidelinesof AEC-Q101-REV-C,StressTestQualification forAutomotiveGradeDiscreteSemiconductors. Applications •InfraredIlluminationforcame	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
SFH4250S	文件：193.23 Kbytes Page：9 Pages	IR-Lumineszenzdiode(850nm)mithoherAusgangsleistung Features: •HighPowerInfraredLED •DoubleStackemitter •Shortswitchingtimes •Theproductqualificationtestplanisbasedontheguidelinesof AEC-Q101-REV-C,StressTestQualification forAutomotiveGradeDiscreteSemiconductors. Applications •InfraredIlluminationforcame	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
SFH-4250S	文件：462.23 Kbytes Page：13 Pages	HighPowerInfraredEmitter	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
SFH4250-S	文件：456.47 Kbytes Page：13 Pages	HighPowerInfraredEmitter	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
SFH4250S-T	文件：462.23 Kbytes Page：13 Pages	HighPowerInfraredEmitter Features: •HighPowerInfraredLED •DoubleStackemitter •Shortswitchingtimes •Theproductqualificationtestplanisbasedontheguidelinesof AEC-Q101-REV-C,StressTestQualification forAutomotiveGradeDiscreteSemiconductors. Applications •InfraredIlluminationforcame	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
SFS4250A-LF	文件：77.41 Kbytes Page：2 Pages	Voltage-ControlledOscillatorSurfaceMountModule	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM
STC4250F	文件：293.64 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Features •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.15VTyp.@IC=1A,IB=50mA •Largecollectorcurrentcapacity:IC=2A •SmallandcompactSMDtypepackage •ComplementarypairwithSTA3250F Applications •Poweramplifierapplication •Highcurrentswitchingapplication	AUK AUK corp	AUK
STC4250F	文件：377.13 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconTransistor Features •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.15VTyp. @IC=1A,IB=50mA •Largecollectorcurrentcapacity:IC=2A •SmallandcompactSMDtypepackage •ComplementarypairwithSTA3250F Applications •Poweramplifierapplication •Highcurrentswitchingapplication	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STC4250F	文件：377.13 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconTransistor	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI

详细参数

型号：
PN4250_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT Low Level Transistor PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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