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PN2369_08

NPN Switching Transistor

文件:127.04 Kbytes 页数:5 Pages

Fairchild

仙童半导体

PN2369A

NPN SILICON TRANSISTOR

文件:321.57 Kbytes 页数:2 Pages

Central

PN2369A

NPN Switching Transistor

NPN Switching TransistorThis device is designed for high speed saturation switching at collector\ncurrents of 10 mA to 100 mA. Sourced from Process 21.

ONSEMI

安森美半导体

PN2369_D26Z

TRANS NPN 15V 0.2A TO-92

ONSEMI

安森美半导体

PN2369_D27Z

Package:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 15V 0.2A TO92-3

ONSEMI

安森美半导体

PN2369A

Package:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 15V 0.2A TO92-3

ONSEMI

安森美半导体

晶体管资料

  • 型号:

    PN2369

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

  • 性质:

    射频/高频放大 (HF)_开关管 (SW)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    40V

  • 最大电流允许值:

    0.3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BSX20,2N2369,3DG130C,

  • 最大耗散功率:

    0.6W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-10

  • vtest:

    40

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.3

  • wtest:

    0.6

产品属性

  • 产品编号:

    PN2369

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    400nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 10mA,1V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN 15V 0.2A TO92-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAI
24+
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PH
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TO92
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更多PN2369供应商 更新时间2025-12-24 15:30:00