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PZT2222A	文件：113.81 Kbytes Page：6 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisforuseasamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.SourcedfromProcess19.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PZT2222A	文件：211.6 Kbytes Page：8 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisforuseasamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.SourcedfromProcess19.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PZT2222A	文件：108.3 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconPlanarEpitaxialTransistor NPNSiliconPlanarEpitaxialTransistor P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
PZT2222A	文件：182.41 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25°C) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:75V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55°Cto+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
PZT2222A	文件：67.42 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSEAMPLIFIER FEATURES *Thisdeviceisforuseasamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
PZT2222A	文件：212.72 Kbytes Page：8 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PZT2222A	文件：109.37 Kbytes Page：2 Pages	SufaceMountSi-EpitaxialPlanarSwitchingTransistors Powerdissipation1.3W PlasticcaseSOT-223 Weightapprox.0.04g PlasticmaterialhasULclassification94V-0 Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
PZT2222A	文件：1.74917 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Epitaxialplanardieconstruction ComplementaryPNPTypeavailable(PZT2907A)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
PZT2222A	文件：1.53681 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction ●ComplementaryPNPTypeavailable(PZT2907A)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
PZT2222A	文件：718.27 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistors ■Features ●Epitaxialplanardieconstruction ●ComplementarytoPZT2907A	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

产品属性

产品编号：
PN2222ARLRPG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 40V 0.6A TO92

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