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PN2222-L	文件：247.53 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •ThroughHolePackage •Capableof625mWattsofPowerDissipation •Collector-current:0.6A •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:Τj.Tstg:-55to+150°C°C •Marking:Typenumber •LeadFreeFinish/RoHSComplia	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
PN2222-L	文件：318.85 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
PN2222-L	文件：300 bytes Page：1 Pages	中等功率双极型晶体管;	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
PN2222-LEGACY-FAIRCHILD	文件：300 bytes Page：1 Pages	General Purpose Transistor; • Pb-Free Packages are Available*\n; The NPN Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the TO-92 package, which is designed for medium power applications.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PN2222-L_13	文件：318.85 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
PN2222-L-AP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 30V 0.6A TO92	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

技术参数

Product Polarity：
NPN
SMD/ThroHole：
Through Hole
VCEO (V)：
30
VCBO (V)：
60
VEBO (V)：
5.0
IC (A)：
0.6
PC (W)：
0.625
HFE：
100-200
@IC (mA)：
1.0
@VCE (V)：
10
ICBO：
IEBO：
VCE(sat) (V)：
1.0
VBE(sat) (V)：
2.0
FT (MHz)：
300
Package Qty：
Bulk
FIT：
48; Tj=100℃

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更多PN2222-L供应商更新时间2025-7-29 8:24:00

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