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PMZB950UPEL	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low leakage current\n• Trench MOSFET technology\n• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.0×0.6×0.37mm\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection >1kVHBM\n• Drain-source on-state resistance RDSon =1.02Ω;	Nexperia 安世	Nexperia
PMZB950UPEL	文件：725.55 Kbytes Page：15 Pages	丝印：01011111；Package：DFN1006B-3；20 V, P-channel Trench MOSFET 文件：725.55 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PTP950NW	文件：4.67717 Mbytes Page：3 Pages	Professional Network Label Printer Range 文件：4.67717 Mbytes 页数：3 Pages	BROTHER 博艾格	BROTHER
PT-P950NW	文件：4.67717 Mbytes Page：3 Pages	Professional Network Label Printer Range 文件：4.67717 Mbytes 页数：3 Pages	BROTHER 博艾格	BROTHER
RPS-950	文件：237.02 Kbytes Page：15 Pages	Cloud-Managed Switching Made Easy Switch Featues • 12-port, 24-port, and 48-port models with Gigabit and multi-Gigabit Ethernet access port options • 4 x 1/10Gb uplink/stacking ports on all 4220 models • 4 x 1/10/25Gb uplink ports plus 2 x 100Gb uplink/stacking ports on 4120 models • 30W, 60W, 90W PoE options for powered conne 文件：237.02 Kbytes 页数：15 Pages	EXTREMENETWORKS	EXTREMENETWORKS

技术参数

Package name：
DFN1006B-3
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-20
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
1400
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
2200
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
1000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-0.5
QGD [typ] (nC)：
0.1
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
1.1899999
Ptot [max] (W)：
0.36
VGSth [typ] (V)：
-0.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
43
Coss [typ] (pF)：
14
Release date：
2017-06-06

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更多PMZB950UPEL供应商更新时间2026-3-26 16:06:00

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