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PMX300UNE	文件：274.04 Kbytes Page：14 Pages	丝印：Y；Package：DFN0603-3；30 V, N-channel Trench MOSFET General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0603-3 (SOT8013) Surface-Mounted Device (SMD) using Trench MOSFET technology. Features and benefits • Low threshold voltage • Leadless ultra small package 0.63mm x 0.33 mm x 0.25 mm • 文件：274.04 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMX300UNE	文件：300 bytes Page：1 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0603-3 (SOT8013) Surface-Mounted Device (SMD) using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM;	Nexperia 安世	Nexperia
PMZB300XN	文件：329.83 Kbytes Page：14 Pages	20 V, single N-channel Trench MOSFET 文件：329.83 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PN300	文件：103.53 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PIN Photodiodes 文件：103.53 Kbytes 页数：4 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
PN300F	文件：103.53 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PIN Photodiodes 文件：103.53 Kbytes 页数：4 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC

技术参数

Package name：
DFN0603-3
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
30
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
250
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
330
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.82
QGD [typ] (nC)：
0.3
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
1.4
Ptot [max] (W)：
0.3
VGSth [typ] (V)：
0.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
119.99999
Coss [typ] (pF)：
9
Release date：
2022-05-18

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