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PMX100UNE	文件：274.23 Kbytes Page：14 Pages	丝印：N；Package：DFN0603-3；20 V, N-channel Trench MOSFET General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0603-3 (SOT8013) Surface-Mounted Device (SMD) using Trench MOSFET technology. Features and benefits • Low threshold voltage • Trench MOSFET technology • Low profile (0.25 mm) • Electr 文件：274.23 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PMX100UNE	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0603-3 (SOT8013) Surface-Mounted Device (SMD) using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Trench MOSFET technology\n• Low profile (0.25 mm)\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM;	Nexperia 安世	Nexperia
PMX100UNZ	文件：276.33 Kbytes Page：14 Pages	20 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0603-3 (SOT8013) Surface-Mounted Device (SMD) using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Leadless ultra small package; 0.63 x 0.33 x 0.25 mm • 文件：276.33 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PN100	文件：44.49 Kbytes Page：3 Pages	NPN General Purpose Amplifier • This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA. • Sourced from process 10. 文件：44.49 Kbytes 页数：3 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
PN100	文件：71.22 Kbytes Page：7 Pages	PN100/PN100A/MMBT100/MMBT100A • This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA. • Sourced from process 10. 文件：71.22 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

技术参数

Package name：
DFN0603-3
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
20
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
160
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
190
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
1.4
QGD [typ] (nC)：
0.3
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
1.4
Ptot [max] (W)：
0.3
VGSth [typ] (V)：
0.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
123
Coss [typ] (pF)：
14
Release date：
2022-05-18

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技术参数

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